MOSFET&JFET擊穿電壓測試源表特點：
多功能：可作源和負載，又能測；
高效率：滿足多種測試需求；
可編程控制：高精度可調，靈活控制；
IV掃描：快速、直觀顯示，一步操作。
應用領域：
分立半導體器件特性測試，電阻、二極管、發光二極管、齊納二極管、PIN二極管、BJT三極管、MOSFET、SIC、GaN等器件；
能量與效率特性測試，LED/AMOLED、太陽能電池、電池、DC-DC轉換器等
傳感器特性測試，電阻率、霍爾效應等
有機材料特性測試，電子墨水、印刷電子技術等
納米材料特性測試，石墨烯、納米線等
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MOSFET&JFET擊穿電壓測試源表功能：
微電路 | ||
1 | 晶圓 | L-IV測試，輸入曲線、輸出曲線 |
2 | 芯片 | L-IV測試，輸入曲線、輸出曲線 |
器件 | ||
1 | 二極管 | 正向導通電壓、正向電流、反向擊穿電壓、反向漏電流 |
2 | 三極管 | L-IV測試，輸入曲線、輸出曲線 |
3 | MOSFET | L-IV測試，輸入曲線、輸出曲線 |
4 | IGBT | L-IV測試，輸出曲線、轉移曲線 |
5 | 晶閘管 | 正向電壓電流曲線、反向電壓電流曲線、觸發特性 |
電池 | ||
1 | 鋰電池 | IV測試，充放電掃描曲線 |
2 | 光伏電池 | IV測試，放電掃描曲線 |
材料 | ||
1 | 石墨烯 | IV測試、輸入曲線、輸出曲線 |
2 | 納米線 | IV測試、輸入曲線、輸出曲線 |
MOSFET&JFET擊穿電壓測試源表特點：
1、5寸800*480觸摸顯示屏，全圖形化操作
2、內置強大的功能軟件，加速用戶完成測試，如LIV、PIV
3、源及測量的準確度為0.1%，分辨率5數位
4、四象限工作（源和肼），源及測量范圍：電流100pA~1A，電壓0.3mV~300V
5、豐富的掃描模式，支持線性掃描、指數掃描及用戶自定義掃描
6、支持USB存儲，一鍵導出測試報告
7、支持多種通訊方式，RS-232、GPIB及以太網
