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型 號：DF2012-4 |
數(shù) 量： |
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包 裝： |
價 格：面議 |
一、主要技術(shù)指標(biāo)：
1.儀器架構(gòu)：雙恒電位儀、恒電流儀、交流阻抗譜儀;
C、R、Ws、Wf四線測量。
2.接地模式：可根據(jù)體系要求設(shè)置成實地模式或浮地模式
3.槽壓：±22V
4.電位掃描范圍：+12.8V
5.CV小電位增量：0.0125mV
6電位控制精度：<0.5mV
7.電位控制噪聲：<0.01mV
8電位上升時間：<0.25uS
9.電位測量零位：自動校正
10.電位更新及阻抗采集速率：10MHZ
11電位測量精度：滿量程的0.1%
12.掃描速度：0.000001V/S-20000V/S
13.參比電極輸入阻抗/電容:>1013Ω//<10PF
14.大恒電流輸出：+0.5A
15.輸入偏置電流：<0.1pA
16.電流測量分辨率：小0.2fA
17.電流測量量程：1pA -0.5A（共25檔
18.電流測量高靈敏度：1X10X-12A/V
19.電流測量精度：滿量程的0.1%
20.交流阻抗譜頻率：0.0001HZ~1MHZ（11個階頻）
21.CA和CC脈沖寬度：0.1mS~1200S
22 DPV脈沖寬度：0.05mS~64S
23限壓反饋恒流換向時間：0.1mS
24.電池圈容量充電工步：激活、恒流、恒壓、涓流
25.脈沖電鍍/小脈寬 八個脈沖可正負(fù)/0.05mS
26.儲能電化學(xué)測量保護(hù)模式：極性、電壓、電流、時間、鏈路
27.電極智能柔性保護(hù) 電壓超載、電流超載
28.激勵電流范圍：10nA、100nA、1μA，10μA，100μA，
1mA，10mA，100 mA、200 mA、500 mA
29.方塊電阻范圍：0.5mΩ/sq～5GΩ/sq
30.電阻率范圍：10-6～106Ωcm
質(zhì)保期：全機(jī)三年
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